FSM 413EC
晶圓厚度測量系統

非接觸式厚度測量，可以測量背面研磨和化學蝕刻後的極薄晶圓，也可測量貼黏帶子或固定在搬運器上的有圖層、突起的晶圓，可應用於堆積切片或記憶體。

應用範圍

溝道深度的測量 
表面粗糙度 
薄膜厚度測量 
環氧厚度的測量 
翹曲度測量 
突起高度的測量 
Echo probe TM對極薄晶圓上的襯底厚度或是不同架構中黏附於基底的厚度進行直接且精確的測量。憶體。

現有機型

FSM 413EC（測量載臺，單個或兩個快速回波探頭裝置） 
FSM 413EC Plus（雙通道真空卡盤，手動X-Y 測試載臺，單個或兩個快速回波探頭） 


 

 


  • 先進特點

    FSM413回波探頭感測器使用紅外線（IR）干涉測量技術（正在申請專利），可以對從厚到極薄的晶圓襯底厚度進行測量，並給出直接、精確厚度變化（TTV）。

    對於紅外線透明的很多材料，例如Si、GaAs、InP、SiC、Glass、Quartz 和許多聚合物,很容易用標準的60um光源直徑測量（客戶也可選用更小光源直徑尺寸）。

    使用單探頭系統可以對有圖層、鍍層、突起的常規晶圓或者是固定在搬運器上的晶圓的襯底厚度進行高准度的測量。

    使用雙探頭系統可測量晶圓的總厚度，包括襯底和圖層的厚度。也有晶圓翹曲、溝道深度和通孔測量等功能(包括記憶體應用中大深寬比的溝道和通孔)供選擇.另外也有其他各種MEMS 應用(包括膜的測量和突起高度的測量)供選擇。

  • 產品規格 & 功能選項

    測量技術：非接觸式的紅外線干涉測量法，可用單個或者雙探頭。 
    晶圓尺寸：可測50，75，100，200，300mm。定制的晶圓尺寸也是可
             測的 。 
    襯底：Si, GaAs, InP, Quartz, Glass, SiC, Sapphire* 
    厚度範圍：詳情請洽弘揚環球科技
    晶圓裝載：手動 
    測量方式：手動 
    解析度（顯示）：詳情請洽弘揚環球科技
    重複性：詳情請洽弘揚環球科技
    精度：詳情請洽弘揚環球科技
    測量點：單點，手動定位 
    溝道深度測量：詳情請洽弘揚環球科技
    聚醯亞胺膜和環氧樹脂的厚度測量：詳情請洽弘揚環球科技
    凸起高度測量：詳情請洽弘揚環球科技
    外觀尺寸（光學控理器）： 21英寸(W)*13 英寸(D)*8 英寸(H) 
    測試載臺尺寸：
            413EC: 19 英寸(W)*21 英寸 (D)*16 英寸(H) 
            413EC Plus： 25 英寸(W)*35 英寸(D)*16 英寸(H) 
    重量（淨重）：200 英磅 
    電源：110 或220VAC，50/60Hz，單相，3 線 
    真空：100 毫米汞柱（如有真空腔）